海力士
英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片
据路透社今日报道，韩国 SK 集团会长崔泰源表示，英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。 SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。
SK 海力士副总裁：存储产品在 AI 时代正从简单组件转型为解决方案
综合韩媒《朝鲜日报》与 ZDNET Korea 报道，SK 海力士系统架构总裁박경（Park Kyung）在韩国当地时间昨日举行的学术研讨会上表示，存储产品在 AI 时代从简单组件转型为解决方案。박경表示：仅仅拥有 DRAM 设计技能已经不够了。我们需要从“运营和系统”的角度，而不仅仅是从半导体技术的角度，来审视系统是如何变化的，以及存在哪些机遇和挑战。半导体生态系统过去由供求关系主导，但未来它需要转变为一种解决共同目标的合作关系。我们如何快速应对这种结构，就是我们如何将未来产品快速推向市场的关键。就 SK 海力士
SK 海力士拟投资近 40 亿美元，建设其首家美国芯片工厂
感谢据彭博社报道，全球排名第二的内存芯片制造商 ——SK 海力士表示，计划斥资 38.7 亿美元（IT之家备注：当前约 280.58 亿元人民币）在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。SK 海力士计划在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于 2028 年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能（AI）系统图形处理器的关键组件。作为 HBM 芯片的主要设计者和生产商，SK 海力士已逐渐成为 AI 发展大潮中的关键参与者，其生产的芯片与英伟达公司的处理器协同工作
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