海力士

据路透社今日报道，韩国 SK 集团会长崔泰源表示，英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。 SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。

综合韩媒《朝鲜日报》与 ZDNET Korea 报道，SK 海力士系统架构总裁박경（Park Kyung）在韩国当地时间昨日举行的学术研讨会上表示，存储产品在 AI 时代从简单组件转型为解决方案。박경表示：仅仅拥有 DRAM 设计技能已经不够了。我们需要从“运营和系统”的角度，而不仅仅是从半导体技术的角度，来审视系统是如何变化的，以及存在哪些机遇和挑战。半导体生态系统过去由供求关系主导，但未来它需…

感谢据彭博社报导，全球排名第二的内存芯片制造商 ——SK 海力士表示，打算斥资 38.7 亿美元（IT之家备注：当前约 280.58 亿元人民币）在印第安纳州制作一座进步前辈的封装厂和人工智能产品研究中心。SK 海力士打算在美国西拉斐特市设置装备摆设首个工场，并打算于 2028 年下半年开始量产。该工场将重点设置装备摆设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能（AI）系统图形处理器的环节…