据路透社今日报道，韩国 SK 集团会长崔泰源表示，英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。 SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。
据路透社今日报道，韩国 SK 集团会长崔泰源表示，英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。
SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。
SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。
今年 7 月，有消息称英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。此外，消息称 SK 海力士已经和台积电达成合作，共同设计和生产 HBM4 系列的部分产品，并计划 2026 年开始量产；而英伟达提供产品设计。
SK 海力士 10 月 24 日发布 2024 财年第三季度（截至 2024 年 9 月 30 日）财报，合并收入为 17.5731 万亿韩元（AI在线备注：当前约 908.35 亿元人民币），环比增长 7%、同比增长 94%。
在 DRAM 方面，海力士正在从现有的 HBM3 迅速转换至 8 层 HBM3E 产品，而且 9 月开始量产的 12 层 HBM3E 产品按原定计划将在今年第四季度开始供货。由此，在第三季度 DRAM 总销售额中占据 30% 的 HBM 比重预计在今年第四季度达到 40%。